| @@덕성엠앤피(680만주/500) 매수가7000원/1050주 ===>주당부동산가치<공시지가310억/시가900억>4558.8/13235원 +주당유가증권가치 176.4..
===정밀금형기술력을 바탕으로 무선정보통신기기 부품 제조업으로 발전시켜, 설계/금형/사출/UV코팅/조립생산에 걸친 전 과정을 자체 공장에서 소화하는 ‘원스탑시스템’을 운영하면서, 동 업계 중 선두기업의 입지를 굳혀나가고 있다. 72시간 무인자동화 시스템 - 3차원기법의 초정밀 금형설계제작 시스템 - 최첨단 자동 로봇사출 시스템 - 선진국형 UV코팅설비 - 자동 조립 사상 설비 등과 어우러진 숙련된 기술력은 덕성의 자부심.
====금형정밀 가공기술력 기본바탕 --<차량용>플라스틱사출금형기술 국내최고기업, 더불어 전자-의료기기 개발-자동차부품모듈 토탈솔루션업체(부동산자산 많음) 과거 팬텍의 우수협력업체---팬텍의 부도 영향에서 비로소 벗어나서 2013년 영업이익 흑자전환 성공, 2014년 <실제는 375억-물론 다시 영업이익 적자전환> 그러나, 2015년에는 1000-1500억매출 가능, 당순익100억원 예상(EPS-1470원....업종PER=20, 할인한 PER-15로 잡을 때 22000원 주가 형성 가능) --2016 상반기 코스닥직상장예정 <상장예정가=25000원, 타겟프라이스=3만원 이상>
== 현대기아차 1차밴더, 미국크라이슬러, 포드, 도요타 미국현지공장에 차량내부부품 납품시작--<중국, 대만, 베트남, 말연, 브라질>등 해외수출비중 상승 시작..
==신성장동력의료기기 : **혈당측정기 특허 보유 **라벨스캐너 및 1년 수명의 충전 배터리 미국 납품 시작(RXlabelReader사) : 50만대 수출예정
@@@바일테크놀러지<국내 유일의 저저항소자 기술을 보유 글로벌시장 진출 앞둔 성장성 높은 리튬2차전지 관련주> 880원/1만주
-액면가100원, 40027407주 : ----발행주식수 : 40,027,407주(보통주 24,620,000주/우선주 8,000,000주/제2우선주 7,404,407주)
<< 지분현황 >>: 대표이사 이기철-15,000,000주/37.47% ::;; 대표이사 이기철의 특수관계인 2인-3,300,000주/8.24% ::: SV인베스트먼트(대표:박성호)-8,000,000주/19.99% ::: SBI인베스트먼트(대표:다카하시 요시미,前 한국기술투자)-7,407,407주/18,51% ::: 사내이사 박경리-5,970,000주/14.91% :::;; 기타주주-350,000주/0.87
1. 업황 및 시장규모 : 휴대전화에 사용되는 리튬이온 2차전지 필수소자인 PTC생산업체임. PTC는 충전식 배터리에 없어서는 안되는 필수부품. 휴대전화, 노트북, 테블릿PC, 디지털카메라, 전기자동차, 군사용로봇등 이 모든 곳에 2차전지가 사용되며 시장규모는 30조를 상회.
2. PTC 글로벌시장 현황 : RAYCHEM(미국), 바일테크놀러지(대한민국), 웨이온(중국), 폴리트로닉스(대만)등의 업체가 있으나 전세계시장의 90%이상을 차지하는 미국 레이캠사와의 경쟁 가능한 업체로는 기술력에서 절대 우위를 점하고 있는 (주)바일테크놀러지가 유일함.
====국내고객사로는 LG화학을 비롯해 삼성전자, 삼성SDI, 팬택등이며 해외에서는 플라디움사(브라질)가 있음. 아울러 인텔,애플사와 테블릿용 제품을 검토중에 있으며 중국의 BYD, 화웨이사등은 스타테크놀러지(주)와 전략적 동반자로 현재 납품중임.
3. 향후전망 : 2차전지(재충전방식)의 필수부품인 저저항PTC를 생산하는 국내 유일의 제조업체로서 전세계 시장의 90%이상을 주도하고 있는 미국의 레이캠사와의 글로벌 경쟁이 예상됨. -------자동화 생산라인 증설과 R&D분야의 지속적인 투자로 생산원가 절감과 가격 경쟁력 면에서 레이캠사에 절대우위를 점하고 있음. .
4. 경영진 이력 : 대표이사 이기철(1962년출생, 미국 콜럼비아대 대학원 경제학석사)은 (주)모토로라 상무이사를 거쳐 (주)세라텍 상무이사, (주)실리콘세븐 전무이사로 근무한 경험을 바탕으로 2007년 11 월 동사를 설립 운영중이며 동업종 경험 및 지식이 풍부한 자임
###<기술 특징>PTC, CMF ====(Polymer Low Rho Type)저저항PTC(Positive Temp.Coefficient--온도에 따라 저항dl 증가하는 소자---과전류, 과열보호부품으로서 리튬이온2차전지에 필수.....2차 전지가 충전-방전시 과전류가 흐르거나 사용중 과열되는 경우 전류를 차단하여 주기계를 보호)) 원통형 PTC, CMF(Chip Common Mode filter...신호와 노이즈의 주파수가 동일한 회로에서 발생되는 노이즈성분만을 제거하는 EMI필터...위상이 각각 다른 신호는 낮은 impedence로 통과시키고 위상이 서로 동일한 경우에는 높은 impedence성분으로 제거)등 휴대폰과 노트북에 사용되는 전자부품개발업체
====고객업체 : KT LG화학, HITECH, DATAVAN....
====보유기술(PTC---전도성 고분자 설계기술, E-BEAM처리기술, 제품 양산화기술, 어셈블리라인자동화설계기술, 신뢰성시험기기술, 2차전지용 원료설계기술, CMF.....이중소재동시접합원료기술, 건습식 복합의 구조형성기술, 다중코일 설계기술, 미세라인인쇄기술, 저용량-고효율 CMF설계기술))
---<저저항PTC란 쉽게 말하면 2차전지(충전식 배터리)의 필수소자인 배터리 과전류 퓨즈를 뜻하며모든 2차전지의 필수 부품임. >
---글로벌 경쟁력 보유 : 전세계 PTC시장의 90% 이상 장악하고 있는 미국의 레이켐사와의 가격경쟁력 우위를 갖추고 있는 유일한 회사.
---2013년도 35억 2014년도 100억 2015년도 300억이상의 매출을 예상하고 있는 매우 빠르게 성장하는 회사
****바일테크놀러지의 주된 기술은 <충전식 배터리에 필수 부품인>저저항소자 생산 기술-국가 보조/수입대체효과/필요 물량 수급이원화 혜택, 이 기술을 바탕으로 제조가능한 회사는 세계에 단 3개뿐이며, 국내에선 바일테크놀러지 1곳뿐. 휴대폰 제조사들이 항상 복수의 부품 거래선을 유지 하는점, 수입대체효과라는 주식시장 테마 매출과 영업이익이 급성장, 이런 점이 바일테크놀러지의 장점
...... 국내 고객사로는 LG화학-삼성전자-삼성SDI-펜텍등이며 해외로는 Palladium을 고객으로 확보하였으며, 중국-일본 업체들과 긴밀한 관계아래 제품 테스트 중에 있음.
- 인텔 : 인텔노트북, 모바일용 테스트 진행중.
- 삼성 : 삼성 테스트 완료, 삼성SDI 저저항 원통형 테스트 완료.<이랜텍/파워로직스 통해 공급>
- LG : 2013년 각형 적용 후 물량확대, 추가모델 진행중.--추가 물량 증가로 인해 라인 증설
- LG화학 : 차량 Start Motor용 PTC 개발
- 현대자동차 : 전기자동차용 PTC 개발중.
- 중국(BYD,화웨이,ZTE) : 스타트 테크놀러지와 전략적 동반자로서 3사에 납품진행.
- Apple : 저저항 type Tablet용 제품을 시작점으로 검토중.
지정자문사 계약 체결완료 --2010년도 VC기관에서 3배수로 투자"15년말~16년초 코스닥 상장 계획"
%%%%바일테크놀러지…
===생산제품은 핸드폰 밧데리에 들어가는 PTC입니다. 양쪽 은색부분이 니켈로 만들어져있습니다. 중간에 연결부분이 23가지 광물질의 적절한 비율로 만들어지며, 바일테크놀러지의 핵심적인 기술이기도 합니다. 이부분이 과전류를 방지하며 밧데리의 효율에도 영향을 미치는 필수 소재입니다.
1. 독점적 지위 / 과점적 지위
- 저저항PTC는 국내에서는 바일 만이 생산할 수있는 기술을 가지고 있습니다.
- 해외로는 레이켐이라는 회사가 세계시장의 90%이상을 점유하고 있으며, 중국의 레이온과 대만의 폴리트로닉스란 회사가 생산능력이 있으나, 기술면에서 5년이상의 차이가 나서 삼성, LG도 채택하고 있지 않습니다.
2. 기술력 / 생산성
- 라인당 생산인원 (바일 : 3~4명, 레이켐 : 40명 )
- 저항률이 낮을수록 밧데리 효율이 증가합니다. (바일8~9미리옴 , 레이켐:11~12미리옴)
- 2011년부터 바일이 납품한 LG핸드폰의 폭파사고는 단 한 건도 없습니다.
- 삼성과 LG에서도 기술력을 인정받아 현재 납품하고 있고 점차 물량을 확대하고 있습니다.
3. 시장성
-핸드폰 관련 저저항PTC시장 : 연간2조~3조원
-전기차 밧데리 PTC시장 : 연간 5천억원 (급속히 성장예상됨)
-노트북, 각종 로봇, 테블릿PC, 전기차, 디지털카메라등 의 전체 시장규모는 30조원의 시장이다.
4. 성장성
-작년 대비 올해 성장률이 300%정도이며, 이 성장률은 향후 몇 년간 유지될 것이다.
( 2013년 매출액 : 35억, 2014년 : 110억, 2015년 :300억~400억 )
5. 수익성 : 순익율 50% 가정..
- 바일이 납품한는 핸드폰용PTC의 경우 이익률이 65%이상입니다. 원통형의 경우20%~45%입니다.(총매출의 약50%를 메출이익으로 잡고 영업이익과 순이익이 40% 정도돌 거의 동일하다고 볼 때) ===보통 상장기업 성장주 같은 경우에서는 PER이 20배 이상으로 형성된다는 것을 감안했을 때 ...PER로 본 바일테크놀러지의 순이익 대비 예상 주가(순익을 4000만주로 나누고 PER곱함>///코스닥 및 코스피 <이차전지>업종 평균 PER<이차전지> : 24배
순이익-EPS PER20배 PER25배
50억 -125 2,550원 3,100원
100억-250 5,100원 6,300 원
150억-375 7,400원 9,500원
200억-500 10,000원 12,500원
6. 최근 진행상황
- (주)ITM반도체에 납품계약 년120억원 (2014년11월)- 중국 및 대만 지사 계약으로 매출성장.(2014년 12월)- LG화학과 진행중인 전기차 밧데리 PTC완료단계. 2015년 6월경 매출발생 예상.
====바일테크놀러지 소식(2015-1/15)
중국에 지사 계약을 체결했습니다. 현재는 핸드폰PTC 쪽으로 소량(연 20~25억)납품 중이나, 이번 중국 지사 계약건으로 물량이 많이 늘어날 것으로 기대하고 있습니다.
>>2016.02.12 [전자신문]원통형 배터리 `18650` 다시 귀한 몸…삼성SDI·LG화학 증설 나서
삼성SDI 배터리를 장착해 지난해 말 샤오미가 출시한 전기자전거 `운마C1(云C1)`. 가격은 1999위안(약36만원)이다.<삼성SDI 배터리를 장착해 지난해 말 샤오미가 출시한 전기자전거 `운마C1(云C1)`. 가격은 1999위안(약36만원)이다.>
모바일·IT기기용으로 각광받다 애물단지로 전락했던 원통형 소형 이차전지(규격 18650)가 다시 ‘귀한 몸’이 됐다. 규격화된 배터리라 다양한 제품 적용이 어려웠던 단점이 오히려 대량 생산과 가격경쟁력 강점으로 되살아났다. 전동공구나 전기자전거를 넘어 전기자동차·에너지저장장치(ESS) 등 비IT분야 활용이 늘었다. 글로벌 소형 전지분야를 주도해온 삼성SDI와 LG화학이 원통형 전지 생산라인을 확충하며 부활하는 시장 잡기에 나섰다.
10일 업계에 따르면 삼성SDI가 올해 중국 톈진공장 원통형 이차전지 생산량을 10% 늘린다. 지난해 말 중국 완성차 업체 JAC(江淮汽車) 전기차 ‘iEV6S’용 원통형 전지 공급업체로 선정된 데 이어, 최근 중국 샤오미 전기자전거(모델명 윈마C1)에도 원통형 소형전지를 공급하는 것으로 알려졌다.
LG화학도 지난해 테슬러 전기차 ‘로드스터’ 교체형 배터리 업체로 선정되는 등 원통형 전지 수요가 늘면서 중국 난징공장에 라인 증설을 검토 중이다. 두 회사 모두 전동공구·보조배터리 등 기존 시장에 전기자전거·전기차·골프카트 등으로 쓰임새가 확대됐다.
삼성SDI 18650 원통형 배터리 LG화학의 18650 원통형 배터리
손가락만한 크기 원통형 이차전지 ‘18650’은 2010년 전후 모바일·IT기기 소형화로 파우치형(봉지 모양) 전지에 밀리면서 시장 수요가 급감했다. 그러다 2012년 일본 파나소닉이 테슬라 전기차에 18650 배터리 수천 개를 병렬로 연결해 대형 전지화시키면서 업계 주목을 받았다. 규격제품인 18650은 파우치에 비해 유연성은 떨어지지만, 크기(지름 18㎜, 길이 65㎜)가 표준화돼 생산성이 높고 파우치나 각형 배터리에 비해 가격이 저렴하다. 에너지 밀도가 높아 순간적으로 강력한 힘을 낼 수 있어 납축전지 대체시장뿐 아니라 전기차·전기자전거·전동공구·골프카트 등 모터를 구동하는 제품에 널리 사용된다.
삼성SDI과 LG화학은 수천 개 개별 셀을 모듈·패키지화할 수 있는 회로기술을 확보하며 경쟁력을 높였다. 삼성SDI는 지난 2000년 리튬이온 배터리 첫 양산라인을 가동한 후 세계 최대 용량인 2000㎃h 원형 배터리를 생산했으며, 2600·2800·3000㎃h급 제품까지 내놓으며 현재 3000㎃h 이상 전기를 담을 수 있는 고밀도 기술까지 확보했다.
삼성SDI 관계자는 “기존 니켈카드뮴 배터리가 장착되는 전동공구 시장에 뛰어든 후 글로벌 4대 전동공구 제조사에 18650 전지를 공급하며, 52.4% 시장점유율을 달리고 있다”며 “팩·모듈화 기술로 비IT 분야와 전기차·ESS로 쓰임새가 넓어지면서 올해 10% 생산을 늘리고 추가로 라인 증설도 검토 중”이라고 말했다
##금속전도성 충진재를 사용한 저저항 고분자 PTC 조성물 개발
사업명 기술혁신개발사업
과제명 금속전도성 충진재를 사용한 저저항 고분자 PTC 조성물 개발
주관연구기관 (주)바일테크놀러지 --연구책임자 박경리 --보고서유형 최종보고서
--발행국가 대한민국 --언어 Korean --발행년월 2013-02 --과제시작년도 2012 --주관부처 산업통상자원부 --사업 관리 기관 한국산업기술평가관리원 (중기청) --과제고유번호 1425072658
개발목표계획==- 저저항(<0.02ΩCm) PTC 고분자 조성물 개발 - 저저항 PTC소자 제조 기술 개발- 전기적 특성 평가및 신뢰성 시험 평가기술 개발
실적 개발완료
기타성과==◦ 지적재산권(특허, 실용신안 등) : 1 건수(특허등록 1 건, 특허출원 건, ) ◦ 논문발표 : 건수 ◦기 타 : UL인증
기대효과==우리나라 리튬전지 메이커인 LG화학및 삼성SDI의 전세계 리튬 전지 점유율이 급속히 증가함에 따라 부품소재의 국산화와 고용량화, 박형화, 고안정화, 저가격화가 요구 되고 있다. 본 과제를 통하여 개발된 기술을 토대로 국내 최초 및 유일의 각형 리튬이차 전지용 안전소자가 수입대체 효과및 고용량 이차전지 개발에 적용되어 신수용 창출 효과를 얻을 수 있을 것으로 기대된다.
적용분야 ==스마트폰 및 태블릿 PC용 고용량 각형 이차전지
##복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법A array filter integrated device with difference materials
IPC 코드H01P 1/20 (2006.01)출원번호1020070031163 (2007.03.29)등록번호100850682 (2008.07.31) 출원인주식회사 바일테크놀러지발명자/고안자이기철대리인강경찬 | 변창규진행 상태KIPRIS 서지 보기
대표청구항
복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항
청구항 1항
복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항 3항
제 1항에 있어서,
상기 자성체층의,
자성체는 Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 뒤 혼합 건조가 완료된 분말을 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항 4항
상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부전극층으로 구성되는 상부인덕터층과;
상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 사이에 위치하여 상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 간의 확산을 방지하는 상부확산방지층과;
바리스터 구성 물질로 형성되며, 최상부 및 최하부에 확산 방지를 위한 배리어 전극층과 중앙에 그라운드 단자가 형성되는 내부 전극층과 그라운드층 상부 및 하부로 적어도 하나 이상의 커패시터를 형성하고 있는 좌우 대칭의 내부 전극층으로 구성되는 중앙커패시터층과;
상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 사이에 위치하여 상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 간의 확산을 방지하는 하부확산방지층과;
상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부 전극층으로 구성되는 하부인덕터층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항 5항 제 4항에 있어서,
상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
자성체로 형성되는 상부페라이트커버부와,
자성체로 형성되고 상기 상부페라이트커버부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 내부 전극 패턴의 끝단이 외부전극과 연결되고 비아홀이 형성되어 제2인덕터부의 내부 전극 패턴과 전기적 통전이 되도록 형성한 제1인덕터부와,
자성체로 형성되고 상기 제1인덕터부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 상기 제1인덕터부의 내부 전극 패턴의 끝단과 대향되도록 끝단에 형성되어 외부 전극과 연결되는 제2인덕터부와,
상기 제2인덕터부 하측에 위치하며, 자성체로 형성되는 하부페라이트커버부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항 6항 제 4항에 있어서,
상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항 7항 제 6항에 있어서,
상기 고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료는,
Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 후 혼합 건조가 완료된 분말은 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
청구항 9항 제 4항에 있어서,
상기 중앙커패시터층은,
확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부 전극이 형성되어 있는 상부배리어부와,
상기 상부배리어부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 좌측전극부와,
상기 좌측전극부 하측에 위치하며, 내부 전극 패턴의 양 끝단이 외부 전극과 연결되어 그라운드 단자가 형성되는 그라운드전극부와,
상기 그라운드전극부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 우측전극부와,
상기 우측전극부 하측에 위치하며, 확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부전극이 형성되어 있는 하부배리어부로 구성되되, 상기 좌측전극부와 우측전극부는 좌우 대칭으로 내부 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
요약
본 발명은 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Ni-Zn계 연자성체와 Varistor를 동시소결 접합을 하는 기술을 통하여 LC filter의 기능과 Varistor의 기능을 갖도록 구성하기 위한 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 복합 노이즈 필터는,
복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 통해 LC filter에 의해 급격한 기울기의 스커드 특성을 확보할 수 있게 되어 신호와 Noise에 대한 구분을 확실하게 할 수 있는 효과와 확산방지층과 확산 방지 내부전극층을 형성하여 동시소결하기 때문에 소성후 Varistor특성에서 Leakage current상승 등의 현상이 나타나지 않는 안정적인 Varistor의 비선형 전류/전압 특성을 확보할 수 있으며, 재료 간 독창적인 특성이 보장되기 때문에 높은 신뢰도를 유지할 수 있는 효과를 제공하게 된다.
##직병렬구조의 써지 써프레서 및 이의 제조방법 ESD suppressor of serial and parallel.
IPC 코드H01C 7/12 (2006.01)출원번호1020070031164 (2007.03.29)등록번호100850683 (2008.07.31) 출원인주식회사 바일테크놀러지발명자/고안자이기철대리인강경찬 | 변창규진행 상태KIPRIS 서지
청구항 3항
써지 써프레서에 있어서,
유전체 재료로 형성되며, 중앙바리스터층 및 중앙측면층 상측에 형성되는 상부커버층과;
과도전압에 대해 트리거되는 특수 바리스터 기능을 갖는 재료로 형성되는 중앙바리스터층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층의 양측에 형성되는 중앙측면층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층 및 중앙측면층 하측에 형성되는 하부커버층;을 포함하여 구성되되,
상기 유전체 재료는,
ZnO를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 첨가하고, SiO2또는 Al2O3를 10~20mol% 정도로 첨가하고, MgO를 5mol% 정도로 첨가하며, Mn3O4 또는 Co3O4의 첨가제를 0.5mol%로 첨가하여 제작하는 것을 특징으로 하는 직병렬구조의 써지 써프레서.
청구항 8항
유전체 재료로 형성되며, 중앙바리스터층 및 중앙측면층 상측에 형성되는 상부커버층과;
과도 전압에 대해 트리거되는 특성을 갖도록 바리스터 재료에 적어도 CuO 와 Fe2O3 중 어느 하나 이상을 포함한 재료로 형성되는 중앙바리스터층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층의 양측에 형성되는 중앙측면층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층 및 중앙측면층 하측에 형성되는 하부커버층;을 포함하여 구성되되,
상기 유전체 재료는,
ZnO를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 첨가하고, SiO2또는 Al2O3를 10~20mol% 정도로 첨가하고, MgO를 5mol% 정도로 첨가하며, Mn3O4 또는 Co3O4의 첨가제를 0.5mol%로 첨가하여 제작하는 것을 특징으로 하는 직병렬구조의 써지 써프레서.
청구항 13항
유전체 재료로 형성되며, 중앙바리스터층 및 중앙측면층 상측에 형성되는 상부커버층과;
바리스터 쉬트에 내부 전극패턴을 형성하고, 과도 전압에 대해 트리거되는 바리스터 재료에 적어도 CuO 와 Fe2O3 중 어느 하나 이상을 포함한 과도전압 트리거 재료를 삽입하기 위한 구멍이 형성된 중앙바리스터층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층의 양측에 형성되는 중앙측면층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층 및 중앙측면층 하측에 형성되는 하부커버층;을 포함하여 구성되되,
상기 유전체 재료는,
ZnO를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 첨가하고, SiO2또는 Al2O3를 10~20mol% 정도로 첨가하고, MgO를 5mol% 정도로 첨가하며, Mn3O4 또는 Co3O4의 첨가제를 0.5mol%로 첨가하여 제작하는 것을 특징으로 하는 직병렬구조의 써지 써프레서.
청구항 16항
유전체 재료로 형성되며, 중앙바리스터층 및 중앙측면층 상측에 형성되는 상부커버층과;
바리스터 쉬트에 내부 전극패턴을 형성하고, 과도 전압에 대해 트리거되는 바리스터 재료에 적어도 CuO 와 Fe2O3 중 어느 하나 이상을 포함한 과도전압 트리거 재료를 삽입하기 위한 구멍이 형성된 중앙바리스터층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층의 양측에 형성되는 중앙측면층과;
유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층 및 중앙측면층 하측에 형성되는 하부커버층;을 포함하여 구성되되,
상기 중앙바리스터층은,
과도 전압에 대해 트리거되는 바리스터 재료에 적어도 CuO 와 Fe2O3 중 어느 하나 이상을 포함한 과도전압 트리거 재료로 구성되는 상부바리스터쉬트와,
과도 전압에 대해 트리거되는 바리스터 재료에 적어도 CuO 와 Fe2O3 중 어느 하나 이상을 포함한 과도전압 트리거 재료로 구성되며, 일측에 내부 전극 패턴을 구성하고 있는 중앙제1바리스터쉬트와,
바리스터 재료로 형성되며, 상기 중앙제1바리스터쉬트와 대향되는 일측에 내부 전극 패턴을 구성하고 있는 중앙제2바리스터쉬트와,
바리스터 재료로 형성되며, 상기 중앙제1바리스터쉬트와 동일한 방향의 일측에 내부 전극 패턴을 구성하고 있는 하부바리스터쉬트로 구성되어 적층시 상기 중앙제1바리스터쉬트의 내부 전극 패턴이 중앙제2바리스터쉬트의 내부 전극 패턴과 접촉되고, 중앙제2바리스터쉬트의 내부 전극 패턴이 하부바리스터쉬트와 접촉되어 상하로 병렬 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 직병렬구조의 써지 써프레서.
요약
본 발명은 직병렬구조의 써지 써프레서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Varistor의 특성과 Varistor에 첨가제를 추가하여 ESD clamp 특성을 개량함으로써, ESD에 대한 Clamp특성을 강화시킨 극 저 용량 직병렬구조의 써지 써프레서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
발명의 직병렬구조의 써지 써프레서는,
써지 써프레서에 있어서,
저 유전율의 유전체 재료로 형성되며, 중앙바리스터층 및 중앙측면층 상측에 형성되는 상부커버층과;
과도전압에 대해 트리거되는 특수 바리스터 기능을 갖는 재료로 형성되는 중앙바리스터층과;
저 유전율의 유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층의 양측에 형성되는 중앙측면층과;
저 유전율의 유전체 재료로 형성되며, 상기 중앙바리스터층 및 중앙측면층 하측에 형성되는 하부커버층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 통해 고속 신호에서의 ESD에 대한 회로보호에 대한 요구는 저 전압/ 저 전류 구동화와 소형화 휴대화 되어가는 시장에서의 요구로 볼 수 있다. 본 발명에서는 마치 Zener Diode와 Varistor의 장점만을 응용하여 ESD에 대한 대체 소자를 구현할 수 있으며 고 신뢰도의 제품을 제작할 수 있다. 즉, 다시말해 저속의 과도전압에 대해서는 Varistor의 응답성으로 신뢰도를 확보할 수 있으며 고속의 과도전압에 대해서는 특수 Varistor물질에 의한 신뢰도를 확보할 수 있게 된다. 또한 회로 구성에 대해서는 상술한 바와 같이 직렬, 또는 직/병렬 혼용을 통해 회로에 적합한 ESD Solution을 제공할 수 있게 된다.
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제 목 : 덕성m&p16상 바일t16상수퍼n
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